ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMUN2115LT1G, Транзистор PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт, SOT23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMUN2115LT1G, Транзистор PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMUN2115LT1G, Транзистор PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт, SOT23
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Цифровые транзисторы с одним резистором, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMUN2115LT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2192828
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.05
Base Product Number
MMUN2115 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
400mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
400 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4mm
Maximum DC Collector Current
100mA
Height
1.01mm
Pin Count
3
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Minimum DC Current Gain
160
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
400mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Высота
1.01mm
Длина
3.04мм
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
400 mW
Maximum Continuous Collector Current
100 mA
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Typical Input Resistor
10 kΩ
Typical Resistor Ratio
None
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 435 КБ
Datasheet , pdf
, 178 КБ
