ZVN2106G, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 0,7A 2Вт SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Chnl 60V T/R

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZVN2106GTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2191472

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.16

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Тип корпуса

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

3.7мм

Число контактов

3+Tab

Конфигурация

Single Dual Drain

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZVN2106

Тип

FET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

6.7мм

Высота

1.65мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Id - непрерывный ток утечки

710 mA

Pd - рассеивание мощности

2 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.3 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

710 мА

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

75 пФ при 18 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

710mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 18V

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Время нарастания

8 ns

Время спада

15 ns

Типичное время задержки выключения

12 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Типичное время задержки включения

7 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

710mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

2О© @ 1A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.4V @ 1mA

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Максимальное пороговое напряжение включения

2.4V

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 291 КБ
Datasheet ZVN2106GTA , pdf , 289 КБ
Datasheet , pdf , 25 КБ

ZVN2106G, Транзистор N-МОП, полевой, 60В 0,7A 2Вт SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация