BD677AG, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 4А, 40Вт, TO225AA, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THT

Транзисторы Дарлингтона 4A 60V 40W NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BD677AG

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2191289

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.65

Base Product Number

BD677 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

500ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-225AA, TO-126-3

Power - Max

40W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-225AA

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2.8V @ 40mA, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2.8 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

7.8мм

Maximum Collector Base Voltage

60 V dc

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V dc

Package Type

TO-225

Maximum Power Dissipation

40 Вт

Width

3мм

Height

11.1мм

Pin Count

Dimensions

7.8 x 3 x 11.1мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Minimum DC Current Gain

750@2A@3V

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

7.8 x 3 x 11.1мм

Конфигурация

Одиночный

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

3мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.8 V dc

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

2.8@40mA@2A

Maximum Power Dissipation (mW)

40000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Box

Automotive

Supplier Package

TO-225

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

11.04(Max)

Package Length

7.74(Max)

Package Width

2.66(Max)

PCB changed

Tab

Число контактов

Вид монтажа:

Through Hole

Категория продукта:

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):

750

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Максимальный постоянный ток коллектора:

4 A

Напряжение коллектор-база (VCBO):

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO):

5 V

Подкатегория:

Transistors

Полярность транзистора:

NPN

Производитель:

ON Semiconductor

Размер фабричной упаковки:

500

Тип продукта:

Darlington Transistors

Торговая марка:

ON Semiconductor

Упаковка / блок:

TO-225AA-3

Тип корпуса

TO-225

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 A dc

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (uA)

200

Высота:

11.04 mm

Длина:

7.74 mm

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Ширина:

2.66 mm

Упаковка:

Bulk

Серия:

BD677A

Максимальный ток отсечки коллектора:

200 uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 141 КБ
BD675_D-1802630 , pdf , 141 КБ

BD677AG, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 4А, 40Вт, TO225AA - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.

Техническая документация