MJD42CG, Транзистор PNP, биполярный, 100В, 6А, 20Вт, DPAK, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 260 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 20W PNP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJD42CG

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2190884

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

1.4

Base Product Number

MJD42 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

3MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Power - Max

1.75W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

DPAK

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

100V

Number of Elements per Chip

Brand

ON Semiconductor

Pin Count

Minimum DC Current Gain

15@3A@4V|30@0.3A@4V

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В пост.тока

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Pd - рассеивание мощности

1.75 W

Высота

2.38 mm (Max)

Длина

6.73 mm (Max)

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

30 at 0.3 A at 4 V, 15 at 3 A at 4 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

6 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJD42C

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

DPAK-3

Ширина

6.22 mm (Max)

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

3 MHz

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

20 Вт

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

100

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1.5@600mA@6A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

1750

Maximum Transition Frequency (MHz)

3(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Standard Package Name

TO-252

Supplier Package

DPAK

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

2.38(Max)

Package Length

6.73(Max)

Package Width

6.22(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 V dc

Максимальный пост. ток коллектора

10 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

Тип корпуса

DPAK

Supplier Temperature Grade

Automotive

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 85 КБ
Datasheet , pdf , 89 КБ
Datasheet , pdf , 218 КБ
Datasheet MJD42CG , pdf , 208 КБ

MJD42CG, Транзистор PNP, биполярный, 100В, 6А, 20Вт, DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 260 руб.

Техническая документация