BSS214NH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 1,5А, 500мВт, SOT23, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 22 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Малосигнальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS214NH6327XTSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2190757

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.03

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2мм

Brand

Infineon

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

1.25мм

Maximum Drain Source Voltage

20 В

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS214

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

2.9 mm

Высота

0.8мм

Id - непрерывный ток утечки

1.5 A

Pd - рассеивание мощности

500 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSS214 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

140 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

12 V, + 12 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

950 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±12V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 3.7ВµA

Maximum Continuous Drain Current

1,5 A

Maximum Power Dissipation

500 мВт

Series

OptiMOS

Maximum Drain Source Resistance

250 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

0.8 nC @ 5 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Qg - заряд затвора

0.8 nC

Время нарастания

7.8 ns

Время спада

1.4 ns

Типичное время задержки выключения

6.8 ns

Типичное время задержки при включении

4.1 ns

Другие названия товара №

BSS214N H6327 SP000928936

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 5V

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 903 КБ
Datasheet BSS214NH6327XTSA1 , pdf , 226 КБ

BSS214NH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 1,5А, 500мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 22 руб.

Техническая документация