IRF820APBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 50Вт, TO220AB, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRF820APBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2190708

Технические параметры

Вес, г

Тип корпуса

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7мм

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.10.00.80

Lead Shape

Through Hole

Package Length

10.41(Max)

Package Width

4.7(Max)

PCB changed

Package Height

9.01(Max)

Mounting

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage (V)

500

Maximum Power Dissipation (mW)

50000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Automotive

Supplier Package

TO-220AB

Standard Package Name

TO-220

Military

Длина

10.41мм

Высота

9.01мм

Размеры

10.41 x 4.7 x 9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

IRF820 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

2.5 A

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

340 пФ при 25 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Типичное время задержки выключения

16 ns

Типичное время задержки включения

8,1 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Continuous Drain Current (A)

2.5

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

3000@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

17(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

17(Max)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

340@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

8.1

Tab

Техническая документация

Datasheet IRF820APBF , pdf , 282 КБ

IRF820APBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 50Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация