IXFH40N85X, Транзистор N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 40А, 860Вт, TO247-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1500 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH40N85X

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2189972

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFx40N85

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

40 A

Pd - рассеивание мощности

860 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

850 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

13 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

850V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

145 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

40A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

860W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Series

HiPerFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

98 nC

Время нарастания

11 ns

Время спада

10 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Типичное время задержки выключения

63 ns

Типичное время задержки при включении

27 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

40A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

860W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

850V

Vgs - Gate-Source Voltage

5.5V @ 4mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

IXFH40N85X- IXFT40N85XHV , pdf , 259 КБ
Datasheet IXFH40N85X , pdf , 266 КБ
Datasheet IXFH40N85X , pdf , 273 КБ

IXFH40N85X, Транзистор N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 40А, 860Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1500 руб.

Техническая документация