SI4800BDY-E3, Транзистор N-МОП, полевой, 30В 9A 0,0155Ом 2,5Вт SO8, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 79 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 30V 9A 2.5W

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI4800BDY-T1-E3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2189323

Технические параметры

Вес, г

0.19

Channel Type

Pin Count

Configuration

Single Quad Drain Triple Source

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

NRND

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

5(Max)

Package Width

4(Max)

PCB changed

Package Height

1.55(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

2500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOIC N

Standard Package Name

SOP

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

SI4

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Вид монтажа

SMD/SMT

Упаковка / блок

SO-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Process Technology

TrenchFET

Технология

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Другие названия товара №

SI4800BDY-T1

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±25

Maximum Continuous Drain Current (A)

6.5

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

18.5@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

8.7@5V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Техническая документация

Datasheet SI4800BDY-T1-E3 , pdf , 182 КБ

SI4800BDY-E3, Транзистор N-МОП, полевой, 30В 9A 0,0155Ом 2,5Вт SO8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 79 руб.

Техническая документация