ZVN4310GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,67А, 3Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Chnl 100V

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZVN4310GTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2188448

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.1

Тип корпуса

SOT-223

Ширина

3.7мм

Число контактов

3+Tab

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZVN4310

Тип

FET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

6.7мм

Высота

1.65мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Id - непрерывный ток утечки

1.67 A

Pd - рассеивание мощности

3 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

1.67 A

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

540 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

350 pF@ 25 V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

750 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

25 ns

Время спада

16 ns

Типичное время задержки выключения

30 нс

Типичное время задержки при включении

8 ns

Типичное время задержки включения

8 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.67A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 1mA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet ZVN4310GTA , pdf , 636 КБ
Datasheet ZVN4310GTA , pdf , 600 КБ

ZVN4310GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,67А, 3Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация