ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVN4310GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,67А, 3Вт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVN4310GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,67А, 3Вт, SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
ZVN4310GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,67А, 3Вт, SOT223
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор N-Chnl 100V
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVN4310GTA
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2188448
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
0.1
Тип корпуса
SOT-223
Ширина
3.7мм
Число контактов
3+Tab
Конфигурация
Single
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
ZVN4310
Тип
FET
Торговая марка
Diodes Incorporated
Длина
6.7мм
Высота
1.65мм
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Id - непрерывный ток утечки
1.67 A
Pd - рассеивание мощности
3 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
SOT-223-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Производитель
DiodesZetex
Тип монтажа
Surface Mount
Количество каналов
1 Channel
Технология
Si
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
1.67 A
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Максимальное сопротивление сток-исток
540 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
350 pF@ 25 V
Тип канала
N
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
750 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Канальный режим
Enhancement
Время нарастания
25 ns
Время спада
16 ns
Типичное время задержки выключения
30 нс
Типичное время задержки при включении
8 ns
Типичное время задержки включения
8 нс
Категория
Мощный МОП-транзистор
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
1.67A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
3W
Rds On - Drain-Source Resistance
540mО© @ 3.3A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100V
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 1mA
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Техническая документация
Datasheet ZVN4310GTA , pdf
, 636 КБ
Datasheet ZVN4310GTA , pdf
, 600 КБ