ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SBC846BLT1G, Транзистор NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 300мВт, SOT23-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
SBC846BLT1G, Транзистор NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 300мВт, SOT23-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
SBC846BLT1G, Транзистор NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 300мВт, SOT23-3
Последняя цена
25 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR SPCL TR
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
SBC846BLT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2188123
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.02
Base Product Number
SBC846 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V
Number of Elements per Chip
1
Maximum DC Collector Current
100mA
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
200@2mA@5V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Pd - Power Dissipation
300mW
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200 at 2 mA, 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC846BL
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Квалификация
AEC-Q101
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.75
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
65
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
15
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Maximum Transition Frequency (MHz)
100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
Yes
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-23
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.94
Package Length
2.9
Package Width
1.3
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Supplier Temperature Grade
Automotive
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 112 КБ
Datasheet , pdf
, 237 КБ
Datasheet , pdf
, 214 КБ
Datasheet , pdf
, 109 КБ