ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF6N62K3, Транзистор N-МОП, полевой, 620В, 3А, 30Вт, TO220FP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF6N62K3, Транзистор N-МОП, полевой, 620В, 3А, 30Вт, TO220FP
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STF6N62K3, Транзистор N-МОП, полевой, 620В, 3А, 30Вт, TO220FP
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF6N62K3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2187947
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
1.7
Mounting Type
Through Hole
Ширина
4.6 mm
Конфигурация
Single
Channel Type
N
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Pin Count
3
Configuration
Single
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Lead Shape
Through Hole
Package Length
10.4(Max)
Package Width
4.6(Max)
PCB changed
3
Package Height
16.4(Max)
Mounting
Through Hole
Maximum Drain Source Voltage (V)
620
Maximum Power Dissipation (mW)
30000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Supplier Package
TO-220FP
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
STF6N62K3
Торговая марка
STMicroelectronics
Длина
10.4 mm
Высота
9.3 mm
Id - непрерывный ток утечки
5.5 A
Pd - рассеивание мощности
90 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
620 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
STF6 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
620V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220FP
Process Technology
SuperMESH 3
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.28 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.75 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
875pF @ 50V
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.28Ohm @ 2.8A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50ВµA
Number of Elements per Chip
1
Series
SuperMESH3в„ў ->
Channel Mode
Enhancement
Qg - заряд затвора
34 nC
Время нарастания
12.5 ns
Время спада
19 ns
Коммерческое обозначение
SuperMESH
Типичное время задержки выключения
27 ns
Типичное время задержки при включении
13 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
5.5A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
30W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
1.28О© @ 2.8A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
620V
Vgs - Gate-Source Voltage
4.5V @ 50uA
Product Category
Power MOSFET
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Continuous Drain Current (A)
5.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
1200@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
34@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
34
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
875@50V
Typical Fall Time (ns)
20
Typical Rise Time (ns)
12
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
49
Typical Turn-On Delay Time (ns)
22
Tab
Tab
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
4.5
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
9000
Maximum IDSS (uA)
0.8
Other Related Documents
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1047 КБ
Datasheet , pdf
, 1033 КБ