ZTX550, Транзистор p-n-p 60В 1A 1Вт TO92, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP THT

• от -55 до 200 ° C Диапазон рабочих температур

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZTX550

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2187472

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+200 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.18

Base Product Number

ZTX550 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

150MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 200В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

E-Line-3

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

E-Line (TO-92 compatible)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 15mA, 150mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

PNP

Размеры

4.01 x 4.77 x 2.41мм

Pd - рассеивание мощности

1 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

4.01мм

Длина

4.77мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

ZTX550

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-92-3

Ширина

2.41мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

150 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

150 MHz

Число контактов

Тип корпуса

E-Line

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,1 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 91 КБ
Datasheet , pdf , 122 КБ

ZTX550, Транзистор p-n-p 60В 1A 1Вт TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация