ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IGZ100N65H5XKSA1, Транзистор БТИЗ, 650В, 100А, 536Вт, PG-TO247-4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IGZ100N65H5XKSA1, Транзистор БТИЗ, 650В, 100А, 536Вт, PG-TO247-4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IGZ100N65H5XKSA1, Транзистор БТИЗ, 650В, 100А, 536Вт, PG-TO247-4
Последняя цена
810 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IGZ100N65H5XKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2187140
Технические параметры
Base Product Number
IGZ100 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-4
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-4
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
161A
Current - Collector Pulsed (Icm)
400A
Gate Charge
210nC
Power - Max
536W
Switching Energy
850ВµJ (on), 770ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
30ns/421ns
Test Condition
400V, 50A, 8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
IGBT Type
Trench
Конфигурация
Single
Вес, г
6.17
Pd - рассеивание мощности
536 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
161 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-4
Другие названия товара №
IGZ100N65H5 SP001160058
Серия
TRENCHSTOP 5 H5
Технология
Si
Series
TrenchStopв„ў 5 ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet IGZ100N65H5XKSA1 , pdf
, 1945 КБ
Datasheet IGZ100N65H5XKSA1 , pdf
, 1894 КБ
Datasheet IGZ100N65H5XKSA1 , pdf
, 1942 КБ