ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFU7440PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 180А, 140Вт, IPAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFU7440PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 180А, 140Вт, IPAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IRFU7440PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 180А, 140Вт, IPAK
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFU7440PBF
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2186939
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
0.45
Mounting Type
Through Hole
Ширина
2.38 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
3000
Торговая марка
Infineon / IR
Длина
6.73 mm
Высота
6.22 mm
Id - непрерывный ток утечки
180 A
Pd - рассеивание мощности
140 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
280 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-251-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
IRFU7440 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
IPAK (TO-251)
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.4 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.9 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4610pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 90A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 100ВµA
Series
HEXFETВ® ->
Qg - заряд затвора
134 nC
Время нарастания
39 ns
Время спада
34 ns
Коммерческое обозначение
StrongIRFET
Типичное время задержки выключения
51 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
134nC @ 10V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 312 КБ
irfu7440pbf , pdf
, 294 КБ
Datasheet IRFU7440PBF , pdf
, 298 КБ