SI4178DY-T1-GE3, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 12А, 5Вт, SO8, Ugs ±20В, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 30V Vds 25V Vgs SO-8

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI4178DY-T1-GE3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2186257

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.27

Тип корпуса

SOIC

Ширина

4мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Configuration

Single Quad Drain Triple Source

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

5(Max)

Package Width

4(Max)

PCB changed

Package Height

1.55(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

2400

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOIC N

Standard Package Name

SOP

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

SI4

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Длина

5мм

Высота

1.55мм

Размеры

5 x 4 x 1.55мм

Id - непрерывный ток утечки

12 A

Pd - рассеивание мощности

5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

22 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SO-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Process Technology

TrenchFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

12 А

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Максимальное сопротивление сток-исток

33 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

405 пФ при 15 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

21 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.4 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Qg - заряд затвора

7.5 nC

Время нарастания

10 ns

Время спада

10 ns

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Типичное время задержки выключения

12 нс

Типичное время задержки при включении

7 ns

Типичное время задержки включения

20 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7,5 нКл при 10 В

Другие названия товара №

SI4178DY-GE3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

12A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

5W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.8V @ 250uA

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±25

Maximum Continuous Drain Current (A)

8.3

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

21@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

7.5@10V|3.7@4.5V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

7.5

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

405@15V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

15|10

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

11|12

Typical Turn-On Delay Time (ns)

7|20

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

2.8

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Техническая документация

Datasheet SI4178DY-T1-GE3 , pdf , 209 КБ
Datasheet SI4178DY-T1-GE3 , pdf , 210 КБ
Datasheet Si4178DY-T1-GE3 , pdf , 205 КБ

SI4178DY-T1-GE3, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 12А, 5Вт, SO8, Ugs ±20В - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация