IRLZ14PBF, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 7,2А, 43Вт, TO220, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Chan 60V 10 Amp

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRLZ14PBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2185419

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.95

Тип корпуса

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 V, +10 V

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Through Hole

Package Length

10.41(Max)

Package Width

4.7(Max)

PCB changed

Package Height

9.01(Max)

Mounting

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

43000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Automotive

Supplier Package

TO-220AB

Standard Package Name

TO-220

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IRLZ

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Длина

10.41мм

Высота

9.01мм

Размеры

10.41 x 4.7 x 9.01мм

Id - непрерывный ток утечки

10 A

Pd - рассеивание мощности

43 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

3.5 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220AB-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRLZ14 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное рассеяние мощности

43 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

400 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

200 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

43W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 6A, 5V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Qg - заряд затвора

8.4 nC

Время нарастания

110 ns

Время спада

26 ns

Типичное время задержки выключения

17 нс

Типичное время задержки при включении

9.3 ns

Типичное время задержки включения

9,3 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

8,4 нКл при 5 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 5V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±10

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

200@5V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

8.4(Max)@5V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

400@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

110

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

9.3

Tab

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Техническая документация

Datasheet IRLZ14PBF , pdf , 1161 КБ
Datasheet IRLZ14PBF , pdf , 1038 КБ
Datasheet IRLZ14PBF , pdf , 1160 КБ

IRLZ14PBF, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 7,2А, 43Вт, TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация