ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCW72LT1G, Транзистор маломощный SOT23-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BCW72LT1G, Транзистор маломощный SOT23-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCW72LT1G, Транзистор маломощный SOT23-3
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BCW72LT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2185354
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.02
Base Product Number
BCW72 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
300MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Power Dissipation
300 мВт
Pin Count
3
Dimensions
0.94 x 2.9 x 1.3мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
200@2mA@5V
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
0.94 x 2.9 x 1.3мм
Pd - рассеивание мощности
225 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.94мм
Длина
2.9мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
0.1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BCW72L
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.3мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.21 V
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.21.00.75
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
45
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.85(Typ)@2.5mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.5mA@10mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Maximum Transition Frequency (MHz)
300(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-23
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.94
Package Length
2.9
Package Width
1.3
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Supplier Temperature Grade
Automotive
Техническая документация
BCW72LT1_D-1802622 , pdf
, 300 КБ
Datasheet , pdf
, 154 КБ
Datasheet BCW72LT1G , pdf
, 303 КБ
Datasheet BCW72LT1G , pdf
, 235 КБ
