ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK20N60W, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 165Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK20N60W, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 165Вт, TO247-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
TK20N60W, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 165Вт, TO247-3
Последняя цена
750 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK20N60W,S1VF(S
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2184052
Технические параметры
Вес, г
6.51
Тип корпуса
TO-247
Ширина
5.02мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Серия
TK
Длина
15.94мм
Высота
20.95мм
Размеры
15.94 x 5.02 x 20.95мм
Производитель
Toshiba
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное рассеяние мощности
165 Вт
Максимальное сопротивление сток-исток
155 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1680 пФ при 300 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
100 нс
Типичное время задержки включения
50 ns
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
48 nC @ 10 V
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Прямое напряжение диода
1.7V