STU1HN60K3, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 760мА, 27Вт, IPAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальные серии MDmesh ™ K3, SuperMESH3 ™, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STU1HN60K3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2183576

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.41

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.6мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

2.4мм

Height

6.2мм

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Single

Package Type

IPAK (TO-251)

Width

2.4мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MDmesh K3, SuperMESH3

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

6.6мм

Высота

6.2мм

Id - непрерывный ток утечки

1.2 A

Pd - рассеивание мощности

27 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-251-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STU1HN60 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

I-PAK

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

1,2 A

Максимальное рассеяние мощности

27 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

8 Ω

Материал транзистора

Кремний

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6.7 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.75 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

27W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 600mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 50ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

1.2 A

Maximum Power Dissipation

27 W

Series

MDmesh K3, SuperMESH3

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

9.5 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Qg - заряд затвора

9.5 nC

Время нарастания

10 ns

Время спада

31 ns

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Типичное время задержки выключения

23 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Техническая документация

Datasheet STU1HN60K3 , pdf , 1442 КБ
Datasheet STU1HN60K3 , pdf , 1426 КБ

STU1HN60K3, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 760мА, 27Вт, IPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация