BSH108.215, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 830мВт, SOT23, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, до 30 В, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BSH108.215

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2183415

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel MOSFET

Вес, г

0.02

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Торговая марка

Nexperia

Длина

3мм

Высота

1мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Id - непрерывный ток утечки

1.9 A

Pd - рассеивание мощности

830 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2 S

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSH108 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Производитель

Nexperia

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

1.9 A

Максимальное рассеяние мощности

830 мВт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

190 пФ при 10 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

190pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

830mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Series

TrenchMOSв„ў ->

Qg - заряд затвора

6.4 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

26 ns

Типичное время задержки выключения

15 нс

Типичное время задержки при включении

3 ns

Типичное время задержки включения

3 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

6.4 nC @ 10 V

Другие названия товара №

BSH108 T/R

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.9A(Tsp)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

830mW(Tsp)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 1mA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet BSH108,215 , pdf , 319 КБ
Datasheet , pdf , 415 КБ

BSH108.215, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 1,2А, 830мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация