STP7N95K3, Транзистор N-МОП, полевой, 950В, 4,5А, 150Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 400 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальные серии MDmesh ™ K3, SuperMESH3 ™, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP7N95K3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2183127

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.98

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.6мм

Height

15.75mm

Maximum Drain Source Voltage

950 V

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220

Width

4.6mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

MDmesh K3, SuperMESH3

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4мм

Высота

15.75мм

Id - непрерывный ток утечки

7.2 A

Pd - рассеивание мощности

150 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

950 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STP7N95 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

950V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

1,35 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

950 В

Материал транзистора

Кремний

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.35 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

7.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1031pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35Ohm @ 3.6A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Maximum Power Dissipation

150 W

Series

MDmesh K3, SuperMESH3

Maximum Drain Source Resistance

1.35 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Qg - заряд затвора

34 nC

Время нарастания

9 ns

Время спада

23 ns

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Типичное время задержки выключения

36 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

34 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 938 КБ
Datasheet STP7N95K3 , pdf , 924 КБ

STP7N95K3, Транзистор N-МОП, полевой, 950В, 4,5А, 150Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 400 руб.

Техническая документация