ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMN2005LPK-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,44А, 0,45Вт, DFN1006-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMN2005LPK-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,44А, 0,45Вт, DFN100…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
DMN2005LPK-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,44А, 0,45Вт, DFN1006-3
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор 20V 200mA
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
DMN2005LPK-7
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2182933
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
0.02
Mounting Type
Surface Mount
Ширина
0.6 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DMN2005
Торговая марка
Diodes Incorporated
Длина
1 mm
Высота
0.47 mm
Id - непрерывный ток утечки
440 mA
Pd - рассеивание мощности
450 mW
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Минимальная рабочая температура
65 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
X1-DFN1006-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
DMN2005 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
3-UFDFN
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
3-X1DFN1006
Количество каналов
1 Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
440mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
Power Dissipation (Max)
450mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 100ВµA
Техническая документация
Datasheet DMN2005LPK-7 , pdf
, 457 КБ