STW18N60M2, Транзистор N-MOSFET, полевой, 650В, 8А, 110Вт, TO247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 460 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW18N60M2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2182819

Технические параметры

Вес, г

4.49

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

600

Серия

STW18N60M2

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

13 A

Pd - рассеивание мощности

110 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

280 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

21.5 nC

Время нарастания

9 ns

Время спада

10.6 ns

Типичное время задержки выключения

47 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 837 КБ

STW18N60M2, Транзистор N-MOSFET, полевой, 650В, 8А, 110Вт, TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 460 руб.

Техническая документация