BSS169H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 170мА, 360мВт, SOT23, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 43 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS169H6327XTSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2182474

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.8

Тип корпуса

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

1.3мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SIPMOS

Тип

SIPMOS Small Signal Transistor

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

2.9мм

Высота

1мм

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Id - непрерывный ток утечки

90 mA

Pd - рассеивание мощности

360 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.1 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PG-SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSS169 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.9V

Максимальное сопротивление сток-исток

12 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Опускание

Типичная входная емкость при Vds

51 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.9 V

Канальный режим

Depletion

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

170mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

68pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 50ВµA

Series

SIPMOSВ® ->

Qg - заряд затвора

2.1 nC

Время нарастания

2.7 ns

Время спада

27 ns

Типичное время задержки выключения

11 ns

Типичное время задержки при включении

2.9 ns

Типичное время задержки включения

2,9 нс

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

0,12 нКл при 7 В

Другие названия товара №

BSS169 BSS169H6327XT H6327 SP000702572

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 7V

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

FET Feature

Depletion Mode

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 139 КБ
BSS169H6327XTSA1 , pdf , 398 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1 , pdf , 413 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1 , pdf , 397 КБ

BSS169H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 170мА, 360мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 43 руб.

Техническая документация