STF24NM60N, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 11А, 30Вт, TO220FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 410 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF24NM60N

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2182160

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.7

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.6мм

Height

16.4мм

Maximum Drain Source Voltage

650 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220FP

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

MDmesh

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4мм

Высота

16.4мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 16.4мм

Id - непрерывный ток утечки

17 A

Pd - рассеивание мощности

30 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF24 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

17 A

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1400 пФ при 50 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

190 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

17A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 8A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Continuous Drain Current

17 А

Series

MDmeshв„ў II ->

Maximum Drain Source Resistance

190 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

46 нКл при 10 В

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

73 ns

Типичное время задержки включения

11,5 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

17A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

30W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

stf24nm60n , pdf , 1095 КБ
Datasheet , pdf , 1076 КБ

STF24NM60N, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 11А, 30Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 410 руб.

Техническая документация