VN10LFTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,15А, 330мВт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 65 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Ch 60V 3A

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

VN10LFTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2182103

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.01

Тип корпуса

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

VN10

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

3.05

Высота

1мм

Размеры

3.05 x 1.4 x 1мм

Id - непрерывный ток утечки

150 mA

Pd - рассеивание мощности

330 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

100 mS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

VN10 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

150 mA

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

60 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

150mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

330mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Типичное время задержки выключения

4 ns

Типичное время задержки при включении

3 ns

Категория

Малый сигнал

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

150mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

330mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.5V @ 1mA

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 22 КБ
Datasheet VN10LFTA , pdf , 26 КБ
Datasheet VN10LFTA , pdf , 22 КБ

VN10LFTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,15А, 330мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 65 руб.

Техническая документация