IXTY8N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 8А, 150Вт, TO252, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 390 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS X2
Серия силовых МОП-транзисторов IXYS X2 предлагает значительно меньшее сопротивление и заряд затвора по сравнению с более ранними поколениями силовых МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и увеличению операционная эффективность. Эти прочные устройства включают в себя внутренний диод и подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме. Полевые МОП-транзисторы класса X2 доступны в различных стандартных корпусах, включая изолированные типы, с номиналами до 120 А при 650 В. Типичные применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, приводы двигателей переменного и постоянного тока, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, солнечные инверторы, управление температурой и освещением.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTY8N65X2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2182079

Технические параметры

Вес, г

0.35

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

IXYS

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

7.12мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

7.12мм

Серия

X2-Class

Длина

6.73мм

Высота

2.38мм

Размеры

6.73 x 7.12 x 2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

IXYS

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

800 пФ при 25 В

Тип канала

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Power Dissipation

150 Вт

Maximum Drain Source Resistance

500 мΩ

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Типичное время задержки выключения

53 нс

Типичное время задержки включения

24 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

Прямая активная межэлектродная проводимость

Прямое напряжение диода

1.4V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 239 КБ

IXTY8N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 8А, 150Вт, TO252 - характеристики, поставщики

Последняя цена 390 руб.

Техническая документация