STP6N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 2,9А, 60Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP6N60M2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2182025

Технические параметры

Вес, г

1.97

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.6мм

Height

15.75mm

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220

Width

4.6mm

Pin Count

Длина

10.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

4.5 A

Maximum Power Dissipation

60 W

Series

MDmesh M2

Maximum Drain Source Resistance

1.2 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

8 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Минимальное пороговое напряжение включения

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1110 КБ

STP6N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 2,9А, 60Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация