IPD090N03LGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 30А, 42Вт, PG-TO252-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-контактный (2 контакта) DPAK T / R

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPD090N03LGATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2181640

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252(DPAK)

Вес, г

0.37

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Pin Count

Configuration

single

EU RoHS

compliant with exemption

ECCN (US)

ear99

Part Status

active

Lead Shape

gull-wing

PCB changed

Mounting

surface mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

42000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Packaging

tape and reel

Supplier Package

dpak

Standard Package Name

to-252

Полярность транзистора

N Канал

Process Technology

optimos

Number of Elements per Chip

Channel Mode

enhancement

Transistor Mounting

Surface Mount

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

40А

Пороговое Напряжение Vgs

2.2В

Рассеиваемая Мощность

42Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0075Ом

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Product Category

power mosfet

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

9 10v

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

7.4 4.5v|15 10v

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1200 15v

Typical Fall Time (ns)

2.6

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

tab

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

2.2

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.1

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 175

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)

280

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

24 15v

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

Typical Output Capacitance (pF)

500

Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)

Typical Diode Forward Voltage (V)

0.91

Typical Gate Plateau Voltage (V)

3.4

Typical Gate to Drain Charge (nC)

1.8

Typical Gate to Source Charge (nC)

Typical Switch Charge (nC)

3.9

Техническая документация

Datasheet IPD090N03LGATMA1 , pdf , 1345 КБ
Datasheet IPD090N03LGATMA1 , pdf , 751 КБ

IPD090N03LGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 30В, 30А, 42Вт, PG-TO252-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация