ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NJW21193G, Транзистор биполярный стандартный, TO-3P-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NJW21193G, Транзистор биполярный стандартный, TO-3P-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NJW21193G, Транзистор биполярный стандартный, TO-3P-3
Последняя цена
680 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP THT
Биполярные транзисторы - BJT 200W PNP
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NJW21193G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2181427
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
10
Base Product Number
NJW21193 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
16A
Current - Collector Cutoff (Max)
100ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 8A, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
4MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max
200W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-3P-3L
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 3.2A, 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250V
Pd - рассеивание мощности
200 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
18.7 mm
Длина
15.6 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
20
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
16 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
250 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
30
Серия
NJW21194
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-3P-3
Ширина
4.8 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
4 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.4 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 118 КБ
Datasheet , pdf
, 238 КБ
Datasheet NJW21193G , pdf
, 122 КБ