ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDB035AN06A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK, PowerTrench® - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDB035AN06A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK, Po…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
FDB035AN06A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 310Вт, D2PAK, PowerTrench®
Последняя цена
670 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDB035AN06A0
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2180269
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Brand
ON Semiconductor
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ширина
9.65 mm
Height
4.83mm
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Конфигурация
Single
Channel Type
N
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Transistor Configuration
Single
Package Type
D2PAK (TO-263)
Width
11.33mm
Pin Count
3
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
800
Серия
FDB035AN06A0
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Длина
10.67 mm
Высота
4.83 mm
Id - непрерывный ток утечки
80 A
Pd - рассеивание мощности
310 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-263-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Технология
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.2 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Канальный режим
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Power Dissipation
310 W
Series
PowerTrench
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Qg - заряд затвора
124 nC
Время нарастания
93 ns
Время спада
13 ns
Коммерческое обозначение
PowerTrench
Типичное время задержки выключения
38 ns
Типичное время задержки при включении
15 ns
Другие названия товара №
FDB035AN06A0_NL
Техническая документация
Datasheet FDB035AN06A0 , pdf
, 960 КБ
