ZXTN2010GTA, Транзистор NPN 60В 6A 1,6Вт 130МГц SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXTN2010GTA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2179707

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.27

Base Product Number

ZXTN2010 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

130MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

260mV @ 300mA, 6A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.26 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

130 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.7mm

Maximum Collector Base Voltage

150 V

Transistor Configuration

Single

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

3 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.7mm

Maximum DC Collector Current

6 A

Height

1.65mm

Pin Count

3 + Tab

Dimensions

1.65 x 6.7 x 3.7mm

Maximum Emitter Base Voltage

7 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

3 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.65мм

Длина

6.7 mm (Max)

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

6 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

150 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

7 V

Непрерывный коллекторный ток

6 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXTN2010

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.7мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

130 MHz

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

150

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.1@300mA@6A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.26@300mA@6A|0.06@100mA@1A|0.03@5mA@100mA|0.07@50mA@1A|0.135@50mA@2A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

3000

Maximum Transition Frequency (MHz)

130(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-223

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.6

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Число контактов

3 + Tab

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.1 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 484 КБ
Datasheet ZXTN2010GTA , pdf , 479 КБ
Datasheet ZXTN2010GTA , pdf , 473 КБ

ZXTN2010GTA, Транзистор NPN 60В 6A 1,6Вт 130МГц SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация