BD678AG, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 60В, 4А, 40Вт, TO225AA, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 81 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона PNP THT

Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BD678AG

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2178667

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.65

Base Product Number

BD678 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

500ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-225AA, TO-126-3

Power - Max

40W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-225AA

Transistor Type

PNP - Darlington

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2.8V @ 40mA, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Maximum Collector Base Voltage

60 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 В

Pin Count

Dimensions

7.74 x 2.66 x 11.04мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Minimum DC Current Gain

750@2A@3V

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

PNP

Размеры

7.74 x 2.66 x 11.04мм

Вид монтажа

Through Hole

Высота

11.04мм

Длина

7.74мм

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

750

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

4 A

Максимальный ток отсечки коллектора

200 uA

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

500

Серия

BD678A

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

SOT-23

Ширина

2.66мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2,8 В

Количество элементов на ИС

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

2.8@40mA@2A

Maximum Power Dissipation (mW)

40000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Box

Automotive

Supplier Package

TO-225

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

11.04(Max)

Package Length

7.74(Max)

Package Width

2.66(Max)

PCB changed

Tab

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

TO-225

Maximum Collector Cut-off Current

0.2mA

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

750

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальный запирающий ток коллектора

0.2mA

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (uA)

200

Техническая документация

Datasheet , pdf , 82 КБ
Datasheet , pdf , 141 КБ
Datasheet BD678AG , pdf , 142 КБ

BD678AG, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 60В, 4А, 40Вт, TO225AA - характеристики, поставщики

Последняя цена 81 руб.

Техническая документация