ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFU630F.115, Транзистор NPN, биполярный, RF, 5,5В, 0,03А, 200мВт, SOT343F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFU630F.115, Транзистор NPN, биполярный, RF, 5,5В, 0,03А, 200мВт, SOT3…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFU630F.115, Транзистор NPN, биполярный, RF, 5,5В, 0,03А, 200мВт, SOT343F
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
РЧ биполярные транзисторы Single NPN 21GHz
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFU630F.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2177382
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.01
Number of Elements per Chip
1
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
90@5mA@2V
Тип транзистора
Bipolar
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
90
Конфигурация
Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
5.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
2.5 V
Непрерывный коллекторный ток
3 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
RF Bipolar Transistors
Торговая марка
NXP Semiconductors
Упаковка / блок
SOT-343F
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
21 GHz
Технология
Si
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.75
Type
NPN
Material
Si
Configuration
Single Dual Emitter
Maximum Collector Base Voltage (V)
16
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
5.5
Maximum Emitter Base Voltage (V)
2.5
Maximum DC Collector Current (A)
0.03
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
200
Maximum Transition Frequency (MHz)
21000(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
DFP
Supplier Package
DFP
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.75(Max)
Package Length
2.2(Max)
Package Width
1.35(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)
<20
Maximum DC Collector Current Range (A)
0.001 to 0.06
Operational Bias Conditions
2.5V/30mA
Minimum DC Current Gain Range
50 to 120
Typical Input Capacitance (pF)
0.332
Typical Output Capacitance (pF)
0.047
Typical Power Gain (dB)
27
Maximum Noise Figure (dB)
1.3(Typ)
Тип
RF Bipolar Small Signal
Maximum Power 1dB Compression (dBm)
12.5(Typ)
Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm)
27.5(Typ)
Техническая документация
Datasheet BFU630F.115 , pdf
, 98 КБ
Datasheet BFU630F,115 , pdf
, 308 КБ
Datasheet BFU630F,115 , pdf
, 105 КБ