IRFI630GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 3,7А, 35Вт, TO220FP, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

60 с, f = 60 Гц) Изоляция высокого напряжения
• Длина пути утечки между каналом и проводом 4,8 мм
• Динамический рейтинг dV / dt
• Низкое тепловое сопротивление

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFI630GPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2177370

Технические параметры

Вес, г

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.7 mm

Maximum Drain Source Voltage

200 В

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220FP

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IRFI

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Длина

10.41 mm

Высота

9.8мм

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRFI630 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное рассеяние мощности

35 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

800 пФ при 25 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5.9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

35W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 3.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Continuous Drain Current

5,9 A

Maximum Drain Source Resistance

400 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

43 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Типичное время задержки выключения

39 нс

Типичное время задержки включения

9.4 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

43 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IRFI630GPBF , pdf , 1549 КБ
Datasheet IRFI630GPBF , pdf , 1547 КБ
Datasheet IRFI630GPBF , pdf , 917 КБ

IRFI630GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 3,7А, 35Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация