FQP13N06L, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 9,6А, 45Вт, TO220, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

QFET® N-канальный МОП-транзистор, от 11А до 30А, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкий спектр приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), осветительные балласты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь в открытом состоянии за счет снижения сопротивления в открытом состоянии (RDS (вкл.)) И уменьшенные потери переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQP13N06L

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2176887

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.97

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.1мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220AB

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.7

Height

9.4мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220AB

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

QFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.1мм

Высота

9.4мм

Размеры

10.1 x 4.7 x 9.4мм

Id - непрерывный ток утечки

13.6 A

Pd - рассеивание мощности

45 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

7 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FQP1 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

13,6 А

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

270 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

110 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

13.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

45W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 6.8A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВµA

Maximum Power Dissipation

45 Вт

Series

QFET

Typical Gate Charge @ Vgs

4,8 нКл при 5 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Время нарастания

90 ns

Время спада

40 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

20 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Типичное время задержки включения

8 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

4.8 nC @ 5 V

Другие названия товара №

FQP13N06L_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 5V

Техническая документация

FQP13N06L , pdf , 573 КБ
Datasheet FQP13N06L , pdf , 571 КБ
Datasheet FQP13N06L , pdf , 569 КБ
Datasheet FQP13N06L , pdf , 503 КБ

FQP13N06L, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 9,6А, 45Вт, TO220, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.

Техническая документация