ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BAS35 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BAS35
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BAS35
Последняя цена
4 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
Диодная решетка 1 пара с общим анодом Стандарт 120 В 200 мА для поверхностного монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2176419
Технические параметры
Вес, г
0.038
Base Product Number
BAS35 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
100nA @ 90V
Diode Configuration
1 Pair Common Anode
Diode Type
Standard
Operating Temperature - Junction
150В°C (Max)
Reverse Recovery Time (trr)
50ns
Speed
Small Signal =
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
120V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1V @ 200mA
Техническая документация
Datasheet BAS35 , pdf
, 30 КБ
Datasheet BAS35 , pdf
, 148 КБ