MUN5313DW1T1G, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT,комплементарная пара, 50В, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 24 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Комплементарные пары транзисторов

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR DUAL 50V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MUN5313DW1T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2175475

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.02

Base Product Number

MUN5313 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-88/SC70-6/SOT-363

Transistor Type

NPN, PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Transistor Polarity

NPN

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

2.2mm

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SOT-363

Maximum Power Dissipation

385 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

100 (Continuous) mA

Height

1mm

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 1mm

Minimum DC Current Gain

80@5mA@10V

Pd - Power Dissipation

256 mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN, PNP

Pd - рассеивание мощности

256 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9 mm

Длина

2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Dual

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MUN5313DW1

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-363(PB-Free)-6

Ширина

1.25 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

Series

MUN5313DW1

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

385 мВт

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP|NPN

Product Category

Bipolar Transistors - Pre-Biased

Configuration

Dual

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.25@0.3mA@10mA

Maximum Power Dissipation (mW)

385

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOT-363

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.9

Package Length

Package Width

1.25

PCB changed

Manufacturer

ON Semiconductor

Тип корпуса

SOT-363

Automotive Standard

AEC-Q101

Typical Input Resistor

47 kOhms

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

47 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Typical Resistor Ratio

Resistor - Base (R1)

47kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47kOhms

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Continuous Collector Current

100 mA

DC Collector/Base Gain Hfe Min

DC Current Gain HFE Max

Factory Pack Quantity

3000

Mounting Style

SMD/SMT

Product Type

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Subcategory

Transistors

Maximum Continuous DC Collector Current (mA)

100

Typical Input Resistor (kOhm)

Peak DC Collector Current

100 mA

Техническая документация

Datasheet MUN5313DW1T1G , pdf , 264 КБ
Datasheet , pdf , 252 КБ
Datasheet , pdf , 110 КБ
Datasheet MUN5313DW1T1G , pdf , 101 КБ

MUN5313DW1T1G, Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT,комплементарная пара, 50В - характеристики, поставщики

Последняя цена 24 руб.

Техническая документация