FDMS86101, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 60А, 104Вт, PQFN8, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDMS86101

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2175336

Технические параметры

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.1mm

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.05mm

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Dimensions

5.1 x 6.25 x 1.05mm

Channel Type

Transistor Configuration

Single

Package Type

Power 56

Width

6.25mm

Pin Count

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Power Dissipation

104 W

Series

PowerTrench

Maximum Drain Source Resistance

14 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Turn-On Delay Time

15 ns

Typical Turn-Off Delay Time

27 ns

Техническая документация

Datasheet FDMS86101 , pdf , 532 КБ
Datasheet , pdf , 549 КБ

FDMS86101, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 60А, 104Вт, PQFN8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация