IXTP32P20T, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1290 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

P-канал 200V 32A (Tc) 300W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2175225

Технические параметры

Series

TrenchPв„ў ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

32A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

14500pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 16A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±15V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 242 КБ

IXTP32P20T - характеристики, поставщики

Последняя цена 1290 руб.

Техническая документация