MJE18004, Транзистор NPN, биполярный, 450В, 5А, 75Вт, TO220AB, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT

• Повышенная эффективность за счет низких требований к базовому приводу
• Высокое и равномерное усиление постоянного тока h FE
• Быстрое переключение
• Катушка в базовой цепи для выключения не требуется (отсутствие токового хвоста) < br> • Философия Motorola 6 SIGMA обеспечивает точные и воспроизводимые параметрические распределения

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJE18004G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2174941

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

2.03

Base Product Number

MJE18004 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

14 @ 300mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

13MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

75W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 500mA, 2.5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

450V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.28мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

450 В

Maximum DC Collector Current

5 А

Height

9.28мм

Dimensions

9.28 x 10.28 x 4.82мм

Minimum DC Current Gain

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

9.28 x 10.28 x 4.82мм

Pd - рассеивание мощности

75 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

9.28мм

Длина

10.28мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

5 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

1 kV

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

450 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

9 V

Непрерывный коллекторный ток

5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJE18004

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.82мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

13 MHz

Series

SWITCHMODEв„ў ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.75 V

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.92 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Максимальный пост. ток коллектора

5 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Максимальная рабочая частота

13 МГц

Число контактов

Тип корпуса

TO-220AB

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.25 V

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 343 КБ
Datasheet MJE18004G , pdf , 150 КБ
Datasheet , pdf , 146 КБ

MJE18004, Транзистор NPN, биполярный, 450В, 5А, 75Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация