2N6388G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 10А, 2Вт, TO220-3, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THT

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

2N6388G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2174886

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

2.02

Base Product Number

2N6388 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

10A

Current - Collector Cutoff (Max)

1mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

15.75mm

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

TO-220

Maximum Power Dissipation

65 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

10.28mm

Height

4.82mm

Pin Count

Dimensions

15.75 x 10.28 x 4.82mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

100

Pd - рассеивание мощности

65 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

15.75 mm

Длина

10.53 mm

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

1000

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

10 A

Максимальный ток отсечки коллектора

1000 uA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

10 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

2N6388

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.83 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

20000

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

2@0.01A@5A|3@0.1A@10A

Maximum Power Dissipation (mW)

2000

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220AB

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

9.28(Max)

Package Length

10.53(Max)

Package Width

4.83(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Through Hole

Maximum Collector Cut-off Current

1mA

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 250 КБ
Datasheet 2N6388G , pdf , 153 КБ
Datasheet 2N6388G , pdf , 105 КБ

2N6388G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 10А, 2Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация