BSS127H6327XTSA2, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 87 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2174662

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.008

Максимальный непрерывный ток стока

21 мА

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3 mm

Высота

1.1 mm

Количество элементов на ИС

Series

SIPMOSВ® ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

600 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSS127 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

21mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

28pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 16mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 8ВµA

Id - непрерывный ток утечки

21 mA

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Qg - заряд затвора

0.65 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

500 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.4 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

9.7 ns

Время спада

115 ns

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

BSS127 BSS127H6327XT H6327 SP000919332

Канальный режим

Depletion

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

7 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS127

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

14 ns

Типичное время задержки при включении

6.1 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-SOT-23-3

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6,1 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

0,65 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

21 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

21mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

500mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.6V @ 8uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 219 КБ
Datasheet BSS127H6327XTSA2 , pdf , 405 КБ
Datasheet , pdf , 251 КБ

BSS127H6327XTSA2 - характеристики, поставщики

Последняя цена 87 руб.

Техническая документация