ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP30CG, Транзистор PNP, биполярный, 100В, 1А, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
TIP30CG, Транзистор PNP, биполярный, 100В, 1А, TO220-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP30CG, Транзистор PNP, биполярный, 100В, 1А, TO220-3
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP THT
Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
TIP30CG
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2174400
Технические параметры
Вес, г
2
Base Product Number
TIP30 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
300ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 4V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
3MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.7 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
10.28mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Maximum Power Dissipation
30 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
4.82mm
Maximum DC Collector Current
1 A
Height
15.75mm
Pin Count
3
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
15
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
2W
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
PNP
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Высота
15.75мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.82мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,7 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220AB
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 257 КБ
Datasheet , pdf
, 106 КБ