ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP5416TA, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 1А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BCP5416TA, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 1А, 2Вт, SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP5416TA, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 1А, 2Вт, SOT223
Последняя цена
37 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
BCP5416TA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2173748
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.16
Base Product Number
BCP5416 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
150MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Number of Elements per Chip
1
Maximum DC Collector Current
1A
Pin Count
4
Minimum DC Current Gain
25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
2W
Pd - рассеивание мощности
2000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.65 mm
Длина
6.7 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
BCP54
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Configuration
Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V)
45
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
45
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)
1
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Maximum Transition Frequency (MHz)
150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Supplier Package
SOT-223
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.55
Package Length
6.5
Package Width
3.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Supplier Temperature Grade
Automotive
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 373 КБ
Datasheet , pdf
, 425 КБ
Datasheet , pdf
, 376 КБ
Datasheet , pdf
, 393 КБ