ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817-40W,115, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BC817-40W,115, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817-40W,115, Транзистор
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Малосигнальные NPN-транзисторы, Nexperia
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BC817-40W,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2172371
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.04
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
500 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 275 КБ
BC817W_SER-1598709 , pdf
, 277 КБ
Datasheet , pdf
, 354 КБ