BC868, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 2А, 950мВт, SOT89, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

NPN-транзисторы общего назначения, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BC868.115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2172213

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.06

Base Product Number

BC868 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

170MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power - Max

1.2W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-89

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

20V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,6 В

Maximum Operating Frequency

170 МГц

Maximum Collector Base Voltage

32 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Nexperia

Maximum Power Dissipation

1,35 Вт

Maximum DC Collector Current

Pin Count

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Pd - Power Dissipation

1.2W

Максимальное напряжение коллектор-база

32 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Pd - рассеивание мощности

1000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.6мм

Длина

4.6мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

50 at 5 mA, 10 V, 85 at 500 mA, 1 V, 60 at 1 A,

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

32 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

20 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-89-3

Ширина

2.6мм

Другие названия товара №

933678770115

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

50 at 5 mA, 10 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

60 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,35 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 V

Максимальный пост. ток коллектора

2 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

170 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-89

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 2125 КБ
Datasheet , pdf , 1771 КБ
Datasheet , pdf , 1524 КБ

BC868, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 2А, 950мВт, SOT89 - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация