ZXTP5401GTA, Транзистор PNP, биполярный, 150В, 600мА, 2Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Транзисторы общего назначения PNP, до 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXTP5401GTA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2171347

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.1

Base Product Number

ZXTP5401 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

600mA

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

150V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0,5 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.7мм

Maximum Collector Base Voltage

-160 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

150 V

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

2 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.7мм

Maximum DC Collector Current

600 мА

Pin Count

Dimensions

6.7 x 3.7 x 1.65mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

50@50mA@5V|60@10mA@5V|50@1mA@5V

Pd - рассеивание мощности

2000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.65мм

Длина

6.7 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

50 at 1 mA, 5 V, 60 at 10 mA, 5 V, 50 at 50 mA,

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

2 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

160 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

150 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXTP5401

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.7 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.75

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

160

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

150

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1@5mA@50mA|1@1mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.2@1mA@10mA|0.5@5mA@50mA

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

2000

Maximum Transition Frequency (MHz)

100(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Yes

Standard Package Name

SOT-223

Supplier Package

SOT-223

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.65(Max)

Package Length

6.7(Max)

Package Width

3.7(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1 В

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet ZXTP5401GTA , pdf , 244 КБ
Datasheet ZXTP5401GTA , pdf , 237 КБ

ZXTP5401GTA, Транзистор PNP, биполярный, 150В, 600мА, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация