STF15N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 6,9А, 25Вт, TO220FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 380 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF15N65M5

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2170791

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.6мм

Height

16.4mm

Maximum Drain Source Voltage

710 V

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220FP

Width

4.6mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STF15N65M5

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

6.9 A

Pd - рассеивание мощности

25 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

Through Hole

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF15 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

340 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

710 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

340 mOhms

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

11A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

816pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340mOhm @ 5.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Power Dissipation

25 W

Series

MDmesh M5

Maximum Drain Source Resistance

340 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 922 КБ
Datasheet , pdf , 920 КБ
Datasheet STF15N65M5 , pdf , 905 КБ

STF15N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 6,9А, 25Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 380 руб.

Техническая документация