FCPF11N60, Транзистор силовой полевой TO-220F, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

40 нКл)
• Низкая эффективная выходная емкость (Coss.eff = 95 пФ)
• 100% лавинные испытания

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FCPF11N60

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2170617

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.21

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

FCPF11N60

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.67 mm

Высота

16.3 mm

Id - непрерывный ток утечки

11 A

Pd - рассеивание мощности

36 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

9.7 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FCPF11 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

380 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

11A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1490pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

36W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

SuperFETв„ў ->

Время нарастания

98 ns

Время спада

56 ns

Типичное время задержки выключения

119 ns

Типичное время задержки при включении

34 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Техническая документация

FCP11N60 datasheet , pdf , 477 КБ
Datasheet , pdf , 869 КБ
Datasheet FCPF11N60 , pdf , 851 КБ
Datasheet FCPF11N60 , pdf , 867 КБ

FCPF11N60, Транзистор силовой полевой TO-220F - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация